18.10.2021 · 铲除困难,再飞一次！作为卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车等领域的重要材料,第三代半导体碳化硅成为了半导体材料里一条方兴未艾的赛道。上升中的碳化硅市场经历了2020年的反弹和汽车（尤其是电动汽车）、能源和动力终端用户细分市场的强劲消费推动,碳化硅市场将在2021年反弹
与ic晶圆制造（前道）相比,后道封装相对简单,技术难度较低,对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。 四、 半导体制造工艺解析. 半导体制造工艺是集成电路实现的手段,也是集成电路设计的基础。自从1948年晶体管发明以来,半导体器件工艺技术的 ...
05.03.2020 · 目前,公司已建成完整的碳化硅衬底生产线,是国内著名的碳化硅衬底生产企业。 中科集团2所. 中科集团二所成立于1962年,是专业从事电子先进制造技术研究和电子专用设备研发制造的国家级研究所。目前,二所已形成以液晶显示器件生产设备、半导体及集成电路制造设备、特种工艺设备为主的 ...
15.09.2020 · 碳化硅晶片的应用领域主要有两个方面：一是制造电力电子器件,如二极管、晶体管等,主要用在电能的转换和控制领域；碳化硅晶片用在这个领域 ...
13.10.2021 · "碳化硅晶体生长与衬底制造同样拥有较高的技术壁垒,放眼全球也仅有极少数的企业具备产业化的能力。"张洁表示,由于碳化硅材料的硬度极高,在自然界中仅次于金刚石,其加工难度可想而知。对此,三安半导体项目利用在晶锭"切、磨、抛"等工艺方面的独家技术和对作业环境洁净度的严格 ...
目前国际上碳化硅芯片的制造已经从4英寸换代到6英寸,并已经开发出了8英寸碳化硅单晶样品,与先进的硅功率半导体器件相比,单晶衬底的尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。 （2）缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术。碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在 ...
02.08.2019 · 2、碳化硅外延材料. 与传统硅功率器件制作工艺不同的是,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。主要的外延技术是化学气相沉积（cvd）,通过台阶流的生长来实现一定厚度和掺杂的碳化硅外延材料 ...
公司目前在碳化硅领域的进展是：已经具备4英寸、6英寸碳化硅设备的制造能力,并且实现了规模化的销售；已完全掌握了4英寸、6英寸导电型碳化硅衬底片的长晶工艺,以及切磨抛加工工艺,目前实验室里已经长出了具有较高良品率的6英寸的碳化硅。并且,公司还表示,公司未来将剥离掉其他业务 ...
21.07.2021 · 碳化硅,第三代半导体时代的中国机会-5g通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求,大力发展碳化硅产业,可引领带动原材料与设备两个千亿级产业,助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。
30.12.2020 · 碳化硅器件是一种极具潜力应用于高温环境下的半导体器件.这是因为3C-SiC在高温下具有良好的物理化学性质,如2.2eV的宽能隙、适中的电子迁移率等.然而SiC器件与Si器件一样,其刻蚀工艺是SiC器件在微细加工中形成图形所必不可少的一项重要工艺技术环节.采用以往在Si器件中积累了丰富经验的且一 .
目前国际上碳化硅芯片的制造已经从4英寸换代到6英寸,并已经开发出了8英寸碳化硅单晶样品,与先进的硅功率半导体器件相比,单晶衬底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。 缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术。碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在材料损耗 ...
27.09.2021 · 由SEMI中国和芜湖市人民政府主办的"SEMI 化合物半导体制造技术论坛"于2021年9月23日在芜湖华邑酒店举行。 与硅材料相比,以InP、GaAs、SiC、GaN等代表的化合物半导体具有更宽的禁带,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好的特点,其本身具有的优越性质及其在微波功率器件领域应用中潜在 ...
15.11.2021 · cvd法制备的碳化硅纤维的纯度比较高,因此纤维在高温下的强度、抗蠕变、稳定性等性能良好。但与先驱体转化法相比,cvd法制备的碳化硅纤维直径较粗,无法进行编织,因此在利用纤维制成复合材料时比较困难。此外,由于利用cvd法制备碳化硅纤维的设备成本 ...
30.12.2020 · 摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况. 半导体器件已广泛应用于各种场合,近年来其应用领域已拓展至许多高温环境中.然而目前尚没有关于硅(Si)器件在200℃以上应用的报导[1],而这些高温器件要求它们工作在 .
13.01.2021 · 自结合碳化硅,就是将α-SiC与碳粉混合后,用各种成型方法成型,然后将坯体置于硅蒸气中加热,使坯体中的碳粉硅化变成β-SiC,而将α-SiC的颗粒紧密结合成致密制品。所以,自结合碳化硅实际上是一种由β-SiC结合的α-SiC。这种制造工艺又称反应烧结法。具体工艺举例如下。 将具有各种粒度配比 .
21.09.2020 · 原标题：揭秘第三代半导体碳化硅,爆发增长的明日之星,国产前途无量. 功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率（理想转化率 ...
13.06.2019 · 目前国际上碳化硅芯片的制造已经从4英寸换代到6英寸,并已经开发出了8英寸碳化硅单晶样品,与先进的硅功率半导体器件相比,单晶衬底的尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。 （2）缺乏更高效的碳化硅单晶衬底加工技术。碳化硅单晶衬底材料线切割工艺存在 ...
14.07.2021 · 碳化硅密封环制造工艺主要为：原料处理-成型-烧结-磨削与研磨-组装。. 详细制造流程如下：. 1.原料处理工艺：不同球磨时间和料球比的的SiC原料的比表面测定。. 2.成型工艺：采用干压成型和等静压成型工艺,前者适宜形状简单,批量较大的制品,后者对单件 ...
06.09.2021 · 作为硅的替代品,碳化硅在制造芯片方面也有竞争对手。氮化镓有可能将能耗减少到硅芯片的十分之一左右。这种材料目前主要用于制造蓝色发光二极管。虽然氮化镓芯片已经被用于充电设备,但目前还需要与包括硅在内的其他材料一起使用,因此尚未充分发挥其应用潜力。 寻找硅的替代品反映出 ...
04.08.2021 · 合肥鑫晟光电科技 设备与工艺工程师 @石大小生 在其知乎专栏上分析了SiC生产的两个难点,即衬底和外延生长。 与传统的单晶硅使用提拉法制备不同,目前规模化生长SiC单晶主要采用物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法。这也就带来了SiC晶体制备的两个难点： 1、 生长条件苛刻,需要 .
13.01.2021 · 自结合碳化硅,就是将α-SiC与碳粉混合后,用各种成型方法成型,然后将坯体置于硅蒸气中加热,使坯体中的碳粉硅化变成β-SiC,而将α-SiC的颗粒紧密结合成致密制品。所以,自结合碳化硅实际上是一种由β-SiC结合的α-SiC。这种制造工艺又称反应烧结法。具体工艺举例如下。 将具有各种粒度配比 .
15.11.2021 · 反应烧结碳化硅的工艺流程首先是将碳源和碳化硅粉进行混合,经注浆成型,干压或冷等静压成型制备出坯体,然后进行渗硅反应,即在真空或惰性气氛下将坯体加热至1500℃以上,固态硅熔融成液态硅,通过毛细管作用渗入含气孔的坯体。液态硅或硅蒸气与坯体 ...
18.10.2021 · 铲除困难,再飞一次！作为卫星通信、高压输变电、轨道交通、电动汽车等领域的重要材料,第三代半导体碳化硅成为了半导体材料里一条方兴未艾的赛道。上升中的碳化硅市场经历了2020年的反弹和汽车（尤其是电动汽车）、能源和动力终端用户细分市场的强劲消费推动,碳化硅市场将在2021年反弹
06.11.2021 · 日前,杭州乾晶半导体（以下简称：乾晶半导体）研发的碳化硅衬底晶片通过公司内部品质检验,达到同行业产品质量标准。 乾晶半导体消息显示,11月3日,首批样品已正式提供客户端进行工艺验证。目前与中国及日本公司达成战略合作意向,可为国内外客户提供4、6寸碳化硅晶棒及晶片 ...
飞秒激光抛光碳化硅陶瓷材料的工艺过程研究-机械制造及其自动化专业论文.docx,Classified Index：V261.8 U.D.C.：621 Dissertation for the Master Degree in Engineering Research on Femtosecond Laser Purse Polishing of Silicon Carbide Ceramic Material (Applied) Candidate: Weibo Li Supervisor: Prof. Qingliang Zhao Academic Degree Appl
12.10.2021 · 01、抱紧SiC巨头的大腿. 近日,Wolfspeed（前身为 Cree）宣布,公司已经与通用达成了SiC供应协议。. 根据协议,通用汽车打算在其基于 Ultium Drive 的下一代电动汽车中转向更节能的碳化硅电力电子设备。. 作为协议的一部分,通用汽车将参与Wolfspeed供应保证计划 (WS ...
15.01.2021 · 厂区鸟瞰图. 设备开发 立足高端业绩骄人. 2014年12月,英罗唯森公司成立。结合欧美技术与国内碳化硅材料的特点,公司开始开发技术独特的碳化硅 ...
摘 要:比较了目前空间遥感相机中常用的四种反射镜镜体材料—ULE,Zerodur,铍(Be)和碳化硅(Sic)的各项性能。结果表明:SiC陶瓷具备比较明显的综合优势,是制备空间用反射镜的最佳候选材料。阐述了碳化硅反射镜镜坯的四种制备工艺。介绍了当前国内外碳化硅质轻型反射镜镜坯的发展情况。
14.12.2020 · 自成立以来,相继研发制造生物制药设备、碳化硅陶瓷微通道反应芯片、微反应系统设备、一次性生物发酵罐、光化学及光化学反应芯片等多款仪器,为各大科研院所、大中专院校和制药等化工企业提供了工艺设备整体解决方案和产品,深受用户的信赖和支持。 此次北京渤乐带来了公司的主营产品 ...
15.01.2021 · 厂区鸟瞰图. 设备开发 立足高端业绩骄人. 2014年12月,英罗唯森公司成立。结合欧美技术与国内碳化硅材料的特点,公司开始开发技术独特的碳化硅 ...
